【ハギワラソリューションズ株式会社】NVMe 1.4 3D NANDフラッシュメモリ搭載 産業用M.2 2280 SSD ハイエンデュランスモデルの「Hシリーズ」を発売

ハギワラソリューションズ株式会社（本社：名古屋市中区、代表取締役社長：梶浦幸二）は、産業機器向けフラッシュストレージの新シリーズとして、高速なデータ処理やデータ転送を必要とするシステムに向けた、エンタープライズクラスの高いデータ信頼性と、PCI Express 3.0の高速なデータ転送性能をあわせ持つ3D NANDフラッシュメモリ搭載 M.2 2280 SSD「 Hシリーズ」を開発。
2022年2月3日より発売を開始します。

概要

「NVMe 1.4 SSD Hシリーズ」は、自社でファームウェアを開発した、国内開発・国内生産の産業機器向けの3D NANDフラッシュメモリ搭載 M.2 2280 SSDです。

本製品は、SATAⅢ規格(6Gbps)の約5倍となる32Gbps(8Gbps x 4レーン)の高速転送を実現するPCI Express 3.0 (4レーン)の通信規格に対応し、そこにハギワラソリューションズが産業機器向けストレージ製品で長年追及してきた、記録するデータの信頼性向上や長期安定稼働を実現するための機能を搭載することで、データの高速処理や高速なデータ転送が求められる次世代システムにおいて、信頼性が求められるOSやシステムデータ、さらにはユーザーデータを格納するのに最適なストレージ製品となっています。

例えば、自動運転の開発においてセンシングデータを記録するデータロガーや、生産工場や病院にある画像検査装置、放送機器では高速なデータ転送速度も要求されるレコーダー機器や信頼性も要求される送出装置、通信関連では5G関連の機器などでの利用が検討されており、評価計画も進行中です。

製品特長

高いデータ信頼性

エンタープライズクラスのUser Bit Error rate　1E-17の高いデータ信頼性に、データセンター・エンタープライズ向けの機能が拡張された通信プロトコルNVMe 1.4を採用。

さらに、システムの稼働に必要となるOSやシステムデータを格納することを想定し、End to End Data Path Protection機能や内部RAID機能、リトライ機能などを搭載することで、信頼性を高めています。

また、温度センサにより3D NANDフラッシュメモリの周辺温度をモニタリングし、周辺温度が閾値を超えると低速モードで動作させ、3D NANDフラッシュメモリの特性劣化を防ぐ仕組み「サーマルスロットリング機能」を搭載しています。

高速ランダムアクセス

PCI Express 3.0 (4レーン)による高速データ転送が可能です。

SATAⅢの転送速度6Gbpsに対し、その約5倍となる32Gbpsの転送速度に対応しており、ランダムリードで260,000 IOPS、ランダムライトで170,000 IOPSを実現します。

長期供給

長期供給が可能な部品を選定し、2027年までの供給を予定しています。

耐環境性能

動作保証温度範囲は-40℃～85℃（S.M.A.R.T.によるデバイス温度）となります。

オプションでSSDの熱を発散するヒートシンクも準備していますので、搭載するシステムに最適な実装方法もご提案します。

カスタマイズ対応

メモリ容量カスタムや搭載するシステムへの合わせ込み、製品の基板表面のコーティング処理など、自社開発・国内生産だからできるご提案や技術サポートが可能です。

製品ラインナップ

フォームファクター	NANDフラッシュメモリ	容量	製品型番
M.2 2280	3D NANDフラッシュメモリ 96層 TLC	240GB	SN8E-240GA00UI
		480GB	SN8E-480GA00UI
		960GB	SN8E-960GA00UI
		1920GB	SN8E-1920A00UI
	3D NANDフラッシュメモリ 96層 SLC mode	160GB	HN8E-160GA00UI
		320GB	HN8E-320GA00UI
		640GB	HN8E-640GA00UI

製品仕様

項目		仕様
NANDフラッシュメモリ		3D NANDフラッシュメモリ 96層 TLC	3D NANDフラッシュメモリ 96層 pSLCモード
インターフェース規格		PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
容量		240GB～1920GB	160GB～640GB
動作温度		-40℃～85℃	-40℃～85℃
転送速度 （最大容量）	Sequential Read	1,550 MB/sec	1,550 MB/sec
	Sequential Write	1,500 MB/sec	1,500 MB/sec
	Random Read	180,000 IOPS	180,000 IOPS
	Random Write	260,000 IOPS	260,000 IOPS
消費電力 （最大容量）	Active (average)	<5.0W	<5.0W
	Idle	<1.0W	<1.0W
P/E cycle		3,000	60,000

公式プレスリリースはこちら: NVMe 1.4 3D NANDフラッシュメモリ搭載産業用M.2 2280 SSDハイエンデュランスモデルの「Hシリーズ」を発売